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参数资料
| 型号： | SI3473DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3473DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.08
0.06
0.04
V GS = 1.8 V
25 °C, unless otherwise noted
3000
2500
2000
1500
C iss
0.02
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1000
500
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 7.9 A
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 7.9 A
4
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
4
8
12
16
20
24
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 7.9 A
I D = 3 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain-Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71937
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI3475DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3476DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6 |
| SI3477DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
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