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参数资料
| 型号： | SI3473DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3473DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
40
32
I D = 250 μA
0.2
24
0.1
0.0
16
T A = 25 °C
- 0.1
- 0.2
8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10- 2
10- 1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
1
I D(on)
Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T C = 25 °C
P(t) = 10
DC
Single Pulse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 90 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71937
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3483DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP |
| SI3495DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
| SI3529DV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| SI3812DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| SI3853DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3475DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI3475DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3475DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3476DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6 |
| SI3477DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
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