- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI3473DV-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3473DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AN823
Vishay Siliconix
10 s (max)
255 ? 260 _ C
140 ? 170 _ C
1 X 4 _ C/s (max)
217 _ C
60 s (max)
3-6 _ C/s (max)
3 _ C/s (max)
60-120 s (min)
Reflow Zone
Pre-Heating Zone
Maximum peak temperature at 240 _ C is allowed.
FIGURE 3. Solder Reflow Temperature and Time Durations
THERMAL PERFORMANCE
A basic measure of a device’s thermal performance is the
On-Resistance vs. Junction Temperature
junction-to-case thermal resistance, R q jc , or the
junction-to-foot thermal resistance, R q jf . This parameter is
measured for the device mounted to an infinite heat sink and
is therefore a characterization of the device only, in other
words, independent of the properties of the object to which the
device is mounted. Table 1 shows the thermal performance
of the TSOP-6.
TABLE 1.
Equivalent Steady State Performance—TSOP-6
Thermal Resistance R q jf 30 _ C/W
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 6.1 A
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
SYSTEM AND ELECTRICAL IMPACT OF
TSOP-6
In any design, one must take into account the change in
MOSFET r DS(on) with temperature (Figure 4).
www.vishay.com
2
T J ? Junction Temperature ( _ C)
FIGURE 4. Si3434DV
Document Number: 71743
27-Feb-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3483DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP |
| SI3495DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
| SI3529DV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| SI3812DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| SI3853DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3475DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI3475DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3475DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3476DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6 |
| SI3477DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。