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参数资料
| 型号： | SI4622DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2458pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4622DY
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-2
Ch-2
30
30
33
- 4.7
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 1 mA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
V DS = 0 V, V GS = ± 16 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
1.5
1
0.04
2.5
2.2
100
100
0.2
V
nA
mA
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 100 °C
Ch-2
Ch-1
4.4
1
44
μA
mA
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 100 °C
Ch-2
5
μA
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
Ch-1
Ch-2
25
20
A
V GS = 10 V, I D = 9.6 A
Ch-1
0.0132 0.0160
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 6.7 A
V GS = 4.5 V, I D = 8.9 A
Ch-2
Ch-1
0.022 0.0264
0.0155 0.0186
Ω
V GS = 4.5 V, I D = 6.4 A
Ch-2
0.0240 0.0290
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 15 V, I D = 9.6 A
V DS = 15 V, I D = 6.7 A
Ch-1
Ch-2
94
10
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 9.6 A
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 6.7 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
2458
760
385
110
150
50
40
13.2
19
60
20
29
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 9.6 A
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 6.7 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
6
8
2.1
6
1.4
12
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
Ch-1
Ch-2
0.26
0.62
1.3
3.1
2.6
6.2
Ω
www.vishay.com
2
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
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