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参数资料
| 型号： | SI4622DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2458pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4622DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 V thr u 4 V
2.0
24
V GS = 3 V
1.5
T C = 25 °C
1 8
1.0
12
0.5
6
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.035
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.030
8 00
600
C iss
0.025
V GS = 4.5 V
400
0.020
0.015
V GS = 10 V
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 6.7 A
V DS = 15 V
8
1.5
V GS = 4.5 V, I D = 6.4 A
6
4
V DS = 24 V
1.2
V GS = 10 V, I D = 6.7 A
0.9
2
0
0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
| SI4622DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626ADY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626ADY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4628DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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