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参数资料
| 型号： | SI4622DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2458pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W，3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4622DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.06
0.05
0.04
0.03
I D = 8 .6 A
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
4
8
12
16
2.0
1. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.6
6
1.4
1.2
1.0
0. 8
I D = 250 μ A
4
2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 1
1
10
100
1 000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
1s
10 s
DC
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
www.vishay.com
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI4622DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626ADY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626ADY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4626DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4628DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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