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参数资料
| 型号： | SI4807DY-E3 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | SI4807DY-E3 |
Si4807DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70643
S-00652—Rev. E, 27-Mar-00
www.vishay.com
S FaxBack 408-970-5600
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (VG1 = VG2, 25_C UNLESS NOTED)
0
5
10
15
20
25
30
012345
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
5
10
15
20
25
30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
02468
10
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
6
12
18
24
30
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Drain
Current
(A)
I
D
VGS = 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
4 V
–
Drain
Current
(A)
I
D
TC = 125_C
–55
_C
–
Gate-to-Source
V
oltage
(V)
C
–
Capacitance
(pF)
V
GS
Crss
Coss
Ciss
VDS = 15 V
ID = 6 A
–
On-Resistance
(
r DS(on)
W
)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
VG1S = 10 V
ID = 6 A
(Normalized)
–
On-Resistance
(
r DS(on)
W
)
VGS = 10 V
VGS = 4.5 V
3 V
25
_C
2, 1 V
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
VGS – Gate-to-Source Voltage (V)
Qg – Total Gate Charge (nC)
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
ID – Drain Current (A)
TJ – Junction Temperature (_C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6463DQ | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI6466DQ | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SI9939DY-T1 | 3500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| SI9959DY-T1 | 2000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| SIL30C-12SADJ-VS | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4807DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6/0.9A 2.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4807DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6/0.9A 2.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4808DY | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4808DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4808DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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