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参数资料
| 型号： | SI5338Q-A-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 3/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK GEN I2C BUS PROG 24QFN |
| 标准包装： | 490 |
| 系列： | MultiSynth™ |
| 类型： | * |
| PLL： | 是 |
| 输入： | CML，HCSL，HSCL，LVDS，LVPECL，晶体 |
| 输出： | CMOS，HCSL. HSTL. LVDS. LVPECL. SSTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:4 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 频率 - 最大： | 200MHz |
| 除法器/乘法器： | 是/是 |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 24-QFN（4x4） |
| 包装： | 托盘 |
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Si5338
Rev. 1.3
11
Table 7. Control Pins
(VDD = 1.8 V –5% to +10%, 2.5 V ±10%, or 3.3 V ±10%, TA = –40 to 85 °C)
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Input Control Pins (IN3, IN4)
Input Voltage Low
VIL
–0.1
—
0.3 x VDD
V
Input Voltage High
VIH
0.7 x VDD
—3.73
V
Input Capacitance
CIN
——
4
pF
Input Resistance
RIN
—20
—
k
Output Control Pins (INTR)
Output Voltage Low
VOL
ISINK =3mA
0
—
0.4
V
Rise/Fall Time 20–80%
tR/tF
CL < 10 pf, pull up 1k
—
10
ns
Table 8. Crystal Specifications for 8 to 11 MHz
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Crystal Frequency
fXTAL
8—
11
MHz
Load Capacitance (on-chip differential)
cL (supported)*
11
12
13
pF
cL (recommended)
17
18
19
pF
Crystal Output Capacitance
cO
——
6
pF
Equivalent Series Resistance
rESR
——
300
Crystal Max Drive Level
dL
100
—
W
*Note: See "AN360: Crystal Selection Guide for Si533x and Si5355/56 Devices" for how to adjust the registers to
accommodate a 12 pF crystal CL.
Table 9. Crystal Specifications for 11 to 19 MHz
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Crystal Frequency
fXTAL
11
—
19
MHz
Load Capacitance (on-chip differential)
cL (supported)*
11
12
13
pF
cL (recommended)
17
18
19
pF
Crystal Output Capacitance
cO
——
5
pF
Equivalent Series Resistance
rESR
——
200
Crystal Max Drive Level
dL
100
—
W
*Note: See "AN360: Crystal Selection Guide for Si533x and Si5355/56 Devices" for how to adjust the registers to
accommodate a 12 pF crystal CL.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| Si5338Q-Axxxxx-GM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
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