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参数资料
| 型号： | SI5484DU-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 7.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 31W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? CHIPFET? 单 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? ChipFET 单通道 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAK ? ChipFET ? SINGLE PAD
D
D (8)
D (7)
D (6)
S (5)
E
D (1)
D (2)
D (3)
G (4)
Z
C
A
b
e
A 1
H
D (1)
D 2
D (2) D (3)
K
G (4)
L
K 1
DETAIL Z
E 2
D 3
E 3
D (8)
D (7)
D (6)
S (5)
Backside view of single pad
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
A
A 1
b
C
D
D 2
D 3
E
E 2
E 3
MIN.
0.70
0
0.25
0.15
2.92
1.75
0.20
1.82
1.38
0.45
NOM.
0.75
-
0.30
0.20
3.00
1.87
0.25
1.90
1.50
0.50
MAX.
0.85
0.05
0.35
0.25
3.08
2.00
0.30
1.98
1.63
0.55
MIN.
0.028
0
0.010
0.006
0.115
0.069
0.008
0.072
0.054
0.018
NOM.
0.030
-
0.012
0.008
0.118
0.074
0.010
0.075
0.059
0.020
MAX.
0.033
0.002
0.014
0.010
0.121
0.079
0.012
0.078
0.064
0.022
e
0.65 BSC
0.026 BSC
H
K
K 1
L
0.15
0.25
0.30
0.30
0.20
-
-
0.35
0.25
-
-
0.40
0.006
0.010
0.012
0.012
0.008
-
-
0.014
0.010
-
-
0.016
Document Number: 73203
19-Jul-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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