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参数资料
| 型号： | SI5511DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W，2.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5511DC-T1-GE3DKR |
Si5511DC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 90 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 73787
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SI5513CDC-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI5513CDC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI5513CDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
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