- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录512 > SI5933CDC-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 20V 1206-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI5933CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 276pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5933CDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 5 V thru 2.5 V
V GS = 2 V
2.0
1.5
6
1.0
4
V GS = 1.5 V
0.5
T C = 25 °C
2
0
V GS = 1 V
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.30
0.25
0.20
0.15
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = - 1.8 V
V GS = - 2.5 V
540
450
360
270
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.10
V GS = - 4.5 V
1 8 0
0.05
0.00
90
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
5
4
3
I D - Drain C u rrent (A)
On Resistance vs. Drain Current
I D = 2.5 A
V DS = 10 V
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
1.1
V GS = 4.5 V; I D = 2.5 A
2
V DS = 16 V
0.9
1
V GS = 2.5 V; I D = 2.2 A
0
0.7
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68822
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5933DC-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| SI5935DC-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 |
| SI5943DU-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK |
| SI5975DC-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| SI5980DU-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5933CDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.7A 2.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5933DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI5933DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5933DCT1E3 | 制造商:Vishay 功能描述:_ |
| SI5933DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。