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参数资料
| 型号： | SI5933CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 276pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5933CDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.25
0.20
0.15
I D = 2.5 A
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temperature
I D = 250 μA
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μ s
1 ms
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1 s, 10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68822
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI5933DCT1E3 | 制造商:Vishay 功能描述:_ |
| SI5933DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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