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参数资料
| 型号： | SI7107DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.8 毫欧 @ 15.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 450µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7107DN-T1-GE3DKR |
Si7107DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.050
0.045
0.040
5000
4000
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
3000
2000
C iss
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
70
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 10 V
I D = 15.3 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 15.3 A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 5 A
I D = 15.3 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73041
S10-0347-Rev. E, 15-Feb-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7108DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7110DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7110DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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