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参数资料
| 型号： | SI7107DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.8 毫欧 @ 15.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 450µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7107DN-T1-GE3DKR |
Si7107DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
50
0.3
I D = 450 μ A
40
0.2
30
0.1
20
0.0
- 0.1
- 0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
I D(on)
1
0.1
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
t 2
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 81 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73041
S10-0347-Rev. E, 15-Feb-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7108DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
| SI7108DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7108DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7110DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7110DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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