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参数资料
| 型号： | SI7110DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 毫欧 @ 21.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7110DN-T1-GE3DKR |
Si7110DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
50
40
0.0
30
- 0.2
- 0.4
20
- 0.6
10
- 0.8
- 1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
R DS(on) *
10
I D(on)
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
1
0.1
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BV DSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73143
S-80581-Rev. E, 17-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7115DN-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 150V PPAK 1212-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7112DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7112DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7113DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
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| SI7113DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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