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参数资料
| 型号： | SI7123DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.6 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3729pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7123DN-T1-GE3DKR |
AN822
Vishay Siliconix
105
130
Spreading Copper (s q . in.)
120
Spreading Copper (s q . in.)
95
110
8 5
75
100
90
8 0
65
100 %
70
50 %
100 %
55
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0 %
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45
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0.75
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1.25
1.50
1.75
2.00
Figure 5. Spreading Copper - Si7401DN
CONCLUSIONS
As a derivative of the PowerPAK SO-8, the PowerPAK
1212-8 uses the same packaging technology and has
been shown to have the same level of thermal perfor-
mance while having a footprint that is more than 40 %
smaller than the standard TSSOP-8.
Recommended PowerPAK 1212-8 land patterns are
provided to aid in PC board layout for designs using this
new package.
www.vishay.com
4
Figure 6. Spreading Copper - Junction-to-Ambient Performance
The PowerPAK 1212-8 combines small size with attrac-
tive thermal characteristics. By minimizing the thermal
rise above the board temperature, PowerPAK simplifies
thermal design considerations, allows the device to run
cooler, keeps r DS(ON) low, and permits the device to
handle more current than a same- or larger-size MOS-
FET die in the standard TSSOP-8 or SO-8 packages.
Document Number 71681
03-Mar-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7129DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 |
| SI7135DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7136DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC |
| SI7145DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI7148DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7129DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 52.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7135DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7136DP | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI7136DP-RC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters |
| SI7136DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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