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参数资料
| 型号： | SI7123DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.6 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3729pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7123DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7123DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
3.0
V GS = 5 V thr u 2.5 V
2.4
60
40
V GS = 2 V
1. 8
T J = 25 °C
1.2
20
V GS = 1.5 V
0.6
T J = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T J = - 55 °C
0
1
2
3
4
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.04
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
6000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.03
0.02
0.01
V GS = - 1. 8 V
V GS = - 2.5 V
5000
4000
3000
2000
C iss
1000
C oss
V GS = - 4.5 V
0
C rss
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
4.0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V DS = - 10 V , I D = - 15 A
1.3
3.0
1.2
V GS = - 4.5 V , I D = - 15 A
1.1
2.0
V DS = - 15 V , I D = - 16 A
1.0
1.0
0.9
0.0
0. 8
0
10
20
30
40
50
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69655
S10-0347-Rev. D, 15-Feb-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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