参数资料
型号: SI7228DN-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 12/13页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 8.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 15V
功率 - 最大: 23W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装: PowerPAK? 1212-8 Dual
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Dual
0.152
0.152
(3.860)
(3. 8 60)
0.039
0.06 0.068
0.016
0.016
(0.405)
(0.405)
0.039
(0.990)
(0.990)
0.039
(0.990)
8
(1.725)
(1.725)
0.010
(0.225)
0.010
(0.255)
0.094
(2.390)
0.039
0.026
(0.660)
0.026
(0.660)
0.025
(0.635)
0.025
(0.635)
(0.990)
0.030
(0.760)
0.030
(0.760)
Recommended Minim u m PADs for Po w erPAK 1212- 8 D u al
Dimensions in Inches/(mm)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
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Document Number: 72598
Revision: 14-Apr-08
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PDF描述
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