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参数资料
| 型号： | SI7228DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 23W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7228DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
35
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
10
30
8
25
20
6
15
10
V GS = 3 V
4
T C = 25 °C
2
5
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.035
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.030
600
C iss
0.025
0.020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
400
0.015
0.010
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 . 8 A
8
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 8 . 8 A
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 10 V
V DS = 24 V
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 64806
S09-0666-Rev. A, 20-Apr-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SI7230E | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:STEPPING MOTOR DRIVER |
| SI-7230E | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:STEPPING MOTOR DRIVER |
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