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参数资料
| 型号： | SI7228DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 23W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7228DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.0 8
0.06
I D = 8 . 8 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
T J = 125 °C
0.02
T J = 25 °C
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.0
1. 8
1.6
1.4
1.2
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
100 μ s
10
1 ms
1
10 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64806
S09-0666-Rev. A, 20-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7230DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| SI7272DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI7326DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| SI7328DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| SI7342DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI-7230 | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Bipolar Driver IC |
| SI7230DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 14A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7230DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7230E | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:STEPPING MOTOR DRIVER |
| SI-7230E | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:STEPPING MOTOR DRIVER |
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