型号: | SI7386DP-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC |
产品目录绘图: | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫欧 @ 19A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
功率 - 最大: | 1.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | SI7386DP-T1-GE3DKR |