- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录513 > SI7390DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7390DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7390DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.6
0.4
0.2
100
80
0.0
- 0.2
I D = 250 μA
60
40
- 0.4
20
- 0.6
- 0.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on)*
10
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 125 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72214
S11-0212-Rev. E, 14-Feb-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7403BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
| SI7404DN-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8 |
| SI7409ADN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 |
| SI7413DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| SI7421DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7392ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI7392ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7392ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7392DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI7392DP-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。