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参数资料
| 型号： | SI7431DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 174 毫欧 @ 3.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7431DP-T1-GE3DKR |
Si7431DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.30
6000
0.25
0.20
0.15
0.10
V GS = 6 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
C iss
0.05
0.00
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
30
60
90
120
150
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 3.8 A
1.9
V GS = 10 V
I D = 3.8 A
1.6
6
1.3
4
1.0
2
0
0.7
0.4
0
15
30
45
60
75
90
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.30
0.25
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.8 A
0.15
T J = 25 °C
1
0.1
0.10
0.05
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V DS - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73116
S10-2246-Rev. E, 04-Oct-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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