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参数资料
| 型号： | SI7431DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 174 毫欧 @ 3.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7431DP-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| SI7439DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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