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参数资料
| 型号： | SI7454CDP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 29.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7454CDP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7454CDP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
50
10
40
30
20
10
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 3 V
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.060
0.048
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.036
V GS = 4.5 V
600
C iss
V GS = 7.5 V
0.024
0.012
V GS = 10 V
400
200
C oss
C rss
0.000
0
0
8
16
24
32
40
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 10 A
8
6
4
2
0
V DS = 25 V
V DS = 50 V
V DS = 75 V
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0.0
2.7
5.4
8.1
10.8
13.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65940
S10-0784-Rev. A, 05-Apr-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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