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参数资料
| 型号： | SI7461DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 14.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7461DP-T1-GE3DKR |
Si7461DP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
70
0.04
0.03
I D = 14.4 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.02
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.8
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
0.4
60
0.2
40
0.0
- 0.2
- 0.4
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
Limited by R DS(on) *
10
P(t) = 0.001
1
I D(on)
Limited
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
S13-2282-Rev. H, 04-Nov-13
4
Document Number: 72567
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC |
| SI7465DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC |
| SI7530DP-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC |
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| SI7625DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7462DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI7462DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7462DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7463ADP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:FET P-CH 40V 16.6A PPAK 8SOIC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET |
| SI7463DP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P POWERPAK |
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