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参数资料
| 型号： | SI7904BDN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 17.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7904BDN-T1-GE3DKR |
Si7904BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 5 thr u 2 V
8
15
6
10
1.5 V
4
T C = 125 °C
5
0
1 V
2
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1. 8
0.060
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.050
0.040
0.030
V GS = 2.5 V
900
600
300
C oss
C iss
0.020
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
7
V DS = 10 V
I D = 6 A
1.6
I D = 7.1 A
6
5
1.4
4
3
2
1
0
V DS = 16 V
I D = 6 A
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 74409
S-83050-Rev. B, 29-Dec-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7904DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.7A 2.8W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI7905A | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
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