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参数资料
| 型号： | SI7922DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 |
| 产品目录绘图： | PowerPak 1212-8 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7922DN-T1-GE3DKR |
Si7922DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.5
T A = 25 °C, unless otherwise noted
320
280
0.4
240
C iss
0.3
0.2
0.1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
200
160
120
80
40
C oss
0.0
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 50 V
I D = 2.5 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
8
1.8
6
4
1.6
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72031
S-81544-Rev. E, 07-Jul-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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