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参数资料
| 型号： | SI7923DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7923DN-T1-GE3DKR |
Si7923DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.12
0.10
1200
1000
0.08
0.06
V GS = 4.5 V
800
600
C iss
V GS = 10 V
0.04
400
0.02
0.00
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
8
6
4
2
0
I D = 6.4 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 6.4 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.12
0.09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 6.4 A
T J = 150 °C
0.06
0.03
T J = 25 °C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72622
S-83050-Rev. C, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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