- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录513 > SI7923DN-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7923DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7923DN-T1-GE3DKR |
Si7923DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.01
0.02
Single Pulse
0.05
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?72622 .
Document Number: 72622
S-83050-Rev. C, 29-Dec-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7940DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC |
| SI7945DP-T1-GE3 | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| SI7948DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC |
| SI7956DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| SI7958DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7924 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
| SI7924A | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
| SI7925DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 6.5A 1.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7925DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7938DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。