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参数资料
| 型号： | SI7958DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 11.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7958DP-T1-GE3DKR |
Si7958DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.030
25 °C, unless otherwise noted
4000
3500
0.025
3000
C iss
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
2500
2000
0.010
V GS = 10 V
1500
0.005
0.000
1000
500
0
C oss
C rss
0.0
8.0
16.0
24.0
32.0
40.0
0
8
16
24
32
40
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 20 V
I D = 11.3 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 11.3 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
10
20
30
40
50
-
50
-
25
0
25
50
75
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
0.03
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 11.3 A
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72661
S09-0223-Rev. C, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI7960DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7960DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7962DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI7962DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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