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参数资料
| 型号： | SI8401AB-B-ISR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 10/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si840x
Table 8. IEC 60664-1 (VDE 0844 Part 2) Ratings
Parameter
Basic Isolation Group
Installation Classification
Test Condition
Material Group
Rated Mains Voltages < 150 V RMS
Rated Mains Voltages < 300 V RMS
Rated Mains Voltages < 400 V RMS
Rated Mains Voltages < 600 V RMS
Specification
I
I-IV
I-III
I-II
I-II
Table 9. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics for Si84xxxB*
Parameter
Maximum Working Insulation Voltage
Input to Output Test Voltage
Transient Overvoltage
Symbol
V IORM
V PR
V IOTM
Test Condition
Method b1
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
t = 60 sec
Characteristic
560
1050
4000
Unit
V peak
V peak
V peak
Pollution Degree (DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at T S , V IO = 500 V
R S
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Parameter
Symbol
Test Condition
NB
NB
Unit
SOIC-8
SOIC-16
Case Temperature
T S
150
150
°C
Safety Input Current
I S
? JA = 105 °C/W (NB SOIC-16),
140 °C/W (NB SOIC-8)
160
210
mA
AVDD, BVDD = 5.5 V,
T J = 150 °C, T A = 25 °C
Device Power Dissipation 2
P D
220
275
W
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure. Refer to the thermal derating curve in Figure 3 and Figure 4.
2. The Si840x is tested with AVDD, BVDD = 5.5 V; T J = 150 oC; C 1 , C 2 = 0.1 μF; C 3 = 15 pF; R1, R2 = 3k ??? input 1 MHz
50% duty cycle square wave.
10
Rev. 1.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3-647477-2 | CONN RCPT 2POS 22AWG .100 RED |
| SI8462BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| 3-644579-5 | CONN RCPT 5POS 24AWG MTA-100 |
| SI8463BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8461BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8401DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI8401DB-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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