参数资料
型号: SI8401AB-B-ISR
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 26/34页
文件大小: 0K
描述: ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC
视频文件: Digital Isolation Overview
Digital Isolators vs. Optocouplers
标准包装: 2,500
输入 - 1 侧/2 侧: 2/1
通道数: 2
电源电压: 3 V ~ 5.5 V
电压 - 隔离: 2500Vrms
数据速率: 10Mbps
输出类型: 开路漏极
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
工作温度: -40°C ~ 125°C
Si840x
8. Package Outline: 8-Pin Narrow Body SOIC
Figure 20 illustrates the package details for the Si840x in an 8-pin SOIC (SO-8). Table 17 lists the values for the
dimensions shown in the illustration.
?
Figure 20. 8-pin Small Outline Integrated Circuit (SOIC) Package
Table 17. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min Max
A
A1
A2
B
C
D
E
1.35
0.10
1.40 REF
0.33
0.19
4.80
3.80
1.75
0.25
1.55 REF
0.51
0.25
5.00
4.00
e
1.27 BSC
26
H
h
L
?
5.80
0.25
0.40
0 ?
Rev. 1.6
6.20
0.50
1.27
8 ?
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PDF描述
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参数描述
SI8401DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI8401DB-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8401DB-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET