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参数资料
| 型号： | SI8401AB-B-ISR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 31/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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AIXX
Si840x
12. Top Marking: 8-Pin Narrow Body SOIC
12.1. 8-Pin Narrow Body SOIC Top Marking
Si84XYSV
YYWWRF
e3
12.2. Top Marking Explanation
Line 1 Marking:
Base Part Number
Si84 = Isolator I 2 C Product Series:
Ordering Options
?
XY = Channel Configuration
?? 00
= Bidirectional SCL and SDA channels
(See Ordering Guide for more
?? 01/02
= Bidirectional SDA channel;
information).
?
?
Unidirectional SCL channel
S = Speed Grade
?? A
= 1.7 Mbps
V = Isolation rating
?? A
= 1 kV; B = 2.5 kV
Line 2 Marking:
Line 3 Marking:
YY = Year
WW = Work week
R = Product Rev
F = Wafer Fab
Circle = 1.1 mm Diameter
Left-Justified
A = Assembly Site
I = Internal Code
XX = Serial Lot Number
Assigned by assembly contractor. Corresponds to the
year and work week of the mold date.
First two characters of the manufacturing code from
Assembly.
“e3” Pb-Free Symbol
Last four characters of the manufacturing code from
assembly.
Rev. 1.6
31
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3-647477-2 | CONN RCPT 2POS 22AWG .100 RED |
| SI8462BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| 3-644579-5 | CONN RCPT 5POS 24AWG MTA-100 |
| SI8463BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8461BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8401DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI8401DB-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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