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参数资料
| 型号： | SI8401AB-B-ISR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 13/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOL DGTL 2.5KVRMS 2CH 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 输出类型： | 开路漏极 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si840x
3. Device Operation
Device behavior during start-up, normal operation, and shutdown is shown in Figure 7, where UVLO+ and UVLO–
are the positive-going and negative-going thresholds respectively. Refer to Table 12 to determine outputs when
power supply (VDD) is not present.
3.1. Device Startup
Outputs are held low during powerup until VDD is above the UVLO threshold for time period tSTART. Following
this, the outputs follow the states of inputs.
3.2. Under Voltage Lockout
Under Voltage Lockout (UVLO) is provided to prevent erroneous operation during device startup and shutdown or
when VDD is below its specified operating circuits range. Both Side A and Side B each have their own under
voltage lockout monitors. Each side can enter or exit UVLO independently. For example, Side A unconditionally
enters UVLO when AVDD falls below AVDD UVLO– and exits UVLO when AVDD rises above AVDD UVLO+ . Side B
operates the same as Side A with respect to its BVDD supply.
UVLO+
UVLO-
AVDD
UVLO+
UVLO-
BVDD
INPUT
tSTART
tSD
tSTART
tSTART
tPH L
tPLH
OUTPUT
Figure 7. Device Behavior during Normal Operation
Rev. 1.6
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3-647477-2 | CONN RCPT 2POS 22AWG .100 RED |
| SI8462BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| 3-644579-5 | CONN RCPT 5POS 24AWG MTA-100 |
| SI8463BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8461BA-A-IS1R | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8401DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI8401DB-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.47W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8401DB-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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