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参数资料
| 型号： | SI8402DB-T1 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 20 - V N -通道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | SI8402DB-T1 |
Si8402DB
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72657
S-32557—Rev. A, 15-Dec-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
1
2
3
4
5
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
500
1000
1500
2000
2500
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 1 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I
S
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 1.8 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8417DB | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI8440-B-IS | QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8440-C-IS | QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8402DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8402DB-T1-E3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SI-8402L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil |
| SI-8403L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil |
| SI8404DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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