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参数资料
| 型号： | SI8402DB-T1 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 20 - V N -通道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | SI8402DB-T1 |
Si8402DB
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72657
S-32557—Rev. A, 15-Dec-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.001
0
40
80
60
10
Single Pulse Power, Juncion-to-Ambient
Time (sec)
20
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 72 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0.1
1
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
I
DM
Limited
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8417DB | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI8440-A-IS | QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8440-B-IS | QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8440-C-IS | QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8402DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8402DB-T1-E3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SI-8402L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil |
| SI-8403L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil |
| SI8404DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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