型号: | SI8402DB-T1 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
中文描述: | 20 - V N -通道的1.8 V(GS)的MOSFET的 |
文件页数: | 6/6页 |
文件大小: | 91K |
代理商: | SI8402DB-T1 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI8402DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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