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参数资料
| 型号： | SI8800EDB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8800EDB-T2-E1DKR |
Si8800EDB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.5
1.2
0.9
T J = 25 °C
10 -1
10 -3
10 -5
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.6
0.3
0.0
10 -7
10 -9
10 -11
0
3
6
9
12
15
0
3 6 9 12
15
15
12
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = 5 V thru 2 V
5
4
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
9
6
3
V GS = 1.5 V
3
2
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.15
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
I D = 1 A
0.12
0.09
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
6
V DS = 5 V
V DS = 10 V
4
0.06
V GS = 4.5 V
V DS = 16 V
2
0.03
0.00
0
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 66700
S12-1620-Rev. C, 09-Jul-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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参数描述 |
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| SI8802DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
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