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参数资料
| 型号： | SI8800EDB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8800EDB-T2-E1DKR |
Si8800EDB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.5
1.4
V GS = 4.5 V, V GS = 2.5 V, V GS = 1.8 V; I D = 1 A
10
1.3
T J = 150 °C
1.2
T J = 25 °C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
V GS = 1.5 V; I D = 0.5 A
1
0.1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.14
0.12
0.10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 1.5 A; T J = 125 °C
0.8
0.7
0.6
0.5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
0.08
I D = 1.5 A; T J = 25 °C
I D = 0.5 A; T J = 125 °C
0.4
0.06
0.04
I D = 0.5 A; T J = 25 °C
0.3
0.2
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
14
12
10
8
6
4
2
0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 66700
S12-1620-Rev. C, 09-Jul-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI-8800L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Transformer |
| SI8802DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8802DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V N-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8805EDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8805EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V P-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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