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参数资料
| 型号： | SI8800EDB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8800EDB-T2-E1DKR |
Si8800EDB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
10 ms
100 ms, 1 s
10 s, DC
BVDSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
3.0
0.8
2.5
0.6
2.0
1.5
0.4
1.0
0.2
0.5
0.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A - Ambient Temperature (°C)
Current Derating*
T A - Ambient Temperature (°C)
Power Derating
Note:
When mounted on 1" x 1" FR4 with full copper.
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-ambient thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 66700
S12-1620-Rev. C, 09-Jul-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI9933CDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
| SIA406DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6 |
| SIA421DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI-8800L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Transformer |
| SI8802DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8802DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V N-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8805EDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8805EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V P-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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