型号: |
SIA511DJ-T1-GE3 |
厂商: |
Vishay Siliconix |
文件页数: |
11/12页 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
产品目录绘图: |
Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
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特色产品: |
Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
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标准包装: |
1 |
FET 型: |
N 和 P 沟道
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FET 特点: |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss): |
12V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
4.5A,4.3A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
40 毫欧 @ 4.2A,4.5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
1V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
12nC @ 8V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
400pF @ 6V
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功率 - 最大: |
1.9W
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安装类型: |
表面贴装
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封装/外壳: |
PowerPAK? SC-70-6 双
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供应商设备封装: |
PowerPAK? SC-70-6 双
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包装: |
标准包装 |
产品目录页面: |
1666 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称: |
SIA511DJ-T1-GE3DKR
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