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参数资料
型号： SIA511DJ-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 2/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
产品目录绘图： Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
特色产品： Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
标准包装： 1
FET 型： N 和 P 沟道
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 4.5A，4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 12nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 400pF @ 6V
功率 - 最大： 1.9W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装： PowerPAK? SC-70-6 双
包装： 标准包装
产品目录页面： 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： SIA511DJ-T1-GE3DKR
New Product
SiA511DJ
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
12
- 12
12
-7
- 2.8
2.1
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 8 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
0.4
- 0.4
1
-1
± 100
± 100
V
nA
V DS = 12 V, V GS = 0 V
N-Ch
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = - 12 V, V GS = 0 V
V DS = 12 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
N-Ch
-1
10
μA
V DS = - 12 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
- 10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 4.5 V
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = 4.5 V, I D = 4.2 A
V GS = - 4.5 V, I D = - 3.3 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
15
-8
0.033
0.058
0.040
0.070
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 2.5 V, I D = 3.8 A
V GS = - 2.5 V, I D = - 2.8 A
N-Ch
P-Ch
0.039
0.082
0.048
0.100
Ω
V GS = 1.8 V, I D = 1.6 A
V GS = - 1.8 V, I D = - 0.7 A
N-Ch
P-Ch
0.051
0.111
0.063
0.140
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 4.2 A
V DS = - 10 V, I D = - 3.3 A
N-Ch
P-Ch
13
9
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
N-Channel
V DS = 6 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
P-Channel
V DS = - 6 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 6 V, V GS = 8 V, I D = 5.5 A
V DS = - 6 V, V GS = - 8 V, I D = - 4.3 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
400
400
120
140
70
100
7.5
8
4.5
12
12
6.8
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Gate Resistance
Q gs
Q gd
R g
N-Channel
V DS = 6 V, V GS = 4.5 V, I D = 5.5 A
P-Channel
V DS = - 6 V, V GS = - 4.5 V, I D = - 4.3 A
f = 1 MHz
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
5
0.6
0.8
0.8
1.4
2.5
7
7.5
nC
Ω
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 74592
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
相关PDF资料
PDF描述
SIA513DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
SIA533EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
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相关代理商/技术参数
参数描述
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