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参数资料
| 型号： | SIA511DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA511DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA511DJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 5 thru 2.5 V
2.0
8
V GS = 2 V
1.6
6
4
2
0
V GS = 1.5 V
1.2
0.8
0.4
0.0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.30
0.25
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1.8 V
700
600
500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
400
0.15
0.10
V GS = 2.5 V
300
200
C oss
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
6
I D = 4.3 A
V DS = 6 V
1.4
I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
1.2
V DS = 9.6 V
4
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74592
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA513DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 |
| SIA533EDJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA513DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA513DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 60/110mohms@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA517DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SiA517DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA519EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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