参数资料
型号: SIA533EDJ-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 34 毫欧 @ 4.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 420pF @ 6V
功率 - 最大: 7.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 双
包装: 标准包装
其它名称: SIA533EDJ-T1-GE3DKR
New Product
SiA533EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
12
8
10
6
8
6
4
2
0
Package Limited
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
10
Document Number: 65706
S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10
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