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参数资料
| 型号： | SIA533EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA533EDJ-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC70-6L Dual
2.500 (0.09 8 )
0.300 (0.012)
0.350 (0.014)
0.325 (0.013)
0.275 (0.011)
0.613 (0.024)
2.500 (0.09 8 )
0.950 (0.037)
0.475 (0.019)
0.160 (0.006)
0.275 (0.011)
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www.vishay.com
1
1
1.600 (0.063)
Dimensions in mm (inches)
0.650 (0.026)
Document Number: 70487
Revision: 18-Oct-13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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