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参数资料
| 型号： | SIA533EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA533EDJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA533EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
10 -1
10 -2
2.5
10 -3
2.0
1.5
1.0
T J = 25 °C
10 -4
10 -5
10 -6
10 -7
10 - 8
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
10 -9
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
10 -10
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
15
12
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = 5 V thru 2 V
10
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
9
V GS = 2 V
6
T C = 125 °C
6
3
V GS = 1.5 V
4
2
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
V GS = 1 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.20
0.16
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1.5 V
V GS = 1. 8 V
1000
800
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.12
V GS = 2.5 V
600
C iss
0.08
0.04
0.00
V GS = 4.5 V
400
200
0
C oss
C rss
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
www.vishay.com
8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 65706
S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10
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