- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIA777EDJ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIA777EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 225 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 5W，7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiA777EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
BVDSS Limited
0.01
12
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operatin g Area, Junction-to-Ambient
8
10
6
8
6
4
Package Limited
4
2
2
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Deratin g *
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Deratin g
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
10
Document Number: 65371
S09-2032-Rev. A, 05-Oct-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA811DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| SIA814DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| SIA911EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| SIA914DJ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 |
| SIA917DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA778DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V and 20 V (D-S) MOSFETs |
| SIA778DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SI-A8000/3600-1.8 | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes |
| SIA810DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA810DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。