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参数资料
型号： SIA777EDJ-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 2/14页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L
标准包装： 3,000
系列： TrenchFET®
FET 型： N 和 P 沟道
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V，12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 1.5A，4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 225 毫欧 @ 1.6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 2.2nC @ 5V
功率 - 最大： 5W，7.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装： PowerPAK? SC-70-6 双
包装： 带卷 (TR)
New Product
SiA777EDJ
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
20
- 12
21
-3
- 2.3
2.3
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 3 V
V DS = 0 V, V GS = ± 4.5 V
V DS = 0 V, V GS = ± 6 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
0.4
- 0.4
1.0
-1
±1
± 0.5
±1
V
μA
mA
V DS = 0 V, V GS = ± 8 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V
P-Ch
N-Ch
±3
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = - 12 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
N-Ch
-1
10
μA
V DS = - 12 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
- 10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 4.5 V
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = 4.5 V, I D = 1.6 A
V GS = - 4.5 V, I D = - 3.8 A
V GS = 2.5 V, I D = 1.5 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
4
- 10
0.183
0.047
0.220
0.225
0.057
0.270
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = - 2.5 V, I D = - 3.3 A
V GS = 1.8 V, I D = 1.3 A
P-Ch
N-Ch
0.063
0.275
0.077
0.345
Ω
V GS = - 1.8 V, I D = 2.6 A
V GS = 1.5 V, I D = 0.3 A
V GS = - 1.5 V, I D = 1 A
P-Ch
N-Ch
P-Ch
0.095
0.320
0.125
0.115
0.960
0.200
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 1.6 A
V DS = - 10 V, I D = - 3.8 A
N-Ch
P-Ch
3.5
11
S
Dynamic a
V DS = 10 V, V GS = 5 V, I D = 1.7 A
N-Ch
1.3
2.2
Total Gate Charge
Q g
V DS = - 6 V, V GS = - 8 V, I D = - 4.9 A
P-Ch
N-Ch
7.5
1.1
12
1.7
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
N-Channel
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 1.7 A
P-Channel
V DS = - 6 V, V GS = - 4.5 V, I D = - 4.9 A
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
5
0.2
0.6
0.1
1.8
8
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
N-Ch
P-Ch
40
2
200
10
400
20
Ω
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 65371
S09-2032-Rev. A, 05-Oct-09
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