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参数资料
| 型号： | SIA777EDJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 225 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 5W，7.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiA777EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
2.5
10 -3
10 -4
2.0
T J = 25 °C
10 -5
10 -6
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.5
10 -7
1.0
10 - 8
0.5
10 -9
0.0
0
3
6
9
12
15
10 -10
0
3
6
9
12
15
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Volta g e
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Volta g e
20
15
V GS = 5 V thr u 3.5 V
V GS = 3 V
V GS = 2.5 V
8
6
10
V GS = 2 V
4
T C = 25 °C
5
V GS = 1.5 V
2
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.20
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
1000
8 00
0.15
0.10
600
C iss
0.05
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
200
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Volta g e
www.vishay.com
8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 65371
S09-2032-Rev. A, 05-Oct-09
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